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TN0106N3-G-P003

制造厂商：Microchip（微芯科技）

类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-92-3

技术参数：MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

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参数详情：

制造商产品型号：TN0106N3-G-P003

制造商：Microchip Technology（微芯科技）

描述：MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：350mA（Tj）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 500μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：60pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-92-3

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