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    LND150N3-G
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-92-3
  • 技术参数：MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：LND150N3-G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：500V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：30mA（Tj）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：0V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1000 欧姆 @ 500μA，0V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10pF @ 25V
  • FET功能：耗尽模式
  • 功率耗散（最大值）：740mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-92-3
  • LND150N3-G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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