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    JAN1N5811US
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：二极管 - 整流器 - 单，封装：SQ-MELF，B
  • 技术参数：DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：JAN1N5811US
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
  • 系列：二极管 - 整流器 - 单
  • 产品系列：Military, MIL-PRF-19500/477
  • 零件状态：有源
  • 二极管类型：标准
  • 电压-DC反向(Vr)（最大值）：150V
  • 电流-平均整流(Io)：6A
  • 不同If时电压-正向(Vf)：875mV @ 4A
  • 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间(trr)：30ns
  • 不同Vr时电流-反向泄漏：5μA @ 150V
  • 不同?Vr、F时电容：60pF @ 10V，1MHz
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SQ-MELF，B
  • 供应商器件封装：B，SQ-MELF
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