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    APTGT75A120T1G
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：SP1
  • 技术参数：IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP1
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：APTGT75A120T1G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP1
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 配置：半桥
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：110A
  • 功率-最大值：357W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
  • 电流-集电极截止（最大值）：250μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies)：5.34nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：是
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP1
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