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    APT65GP60L2DQ2G
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-264-3，TO-264AA
  • 技术参数：IGBT 600V 198A 833W TO264
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：APT65GP60L2DQ2G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：IGBT 600V 198A 833W TO264
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：POWER MOS 7?
  • 零件状态：不適用於新設計
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：198A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：250A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，65A
  • 功率-最大值：833W
  • 开关能量：605μJ（开），895μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：210nC
  • 25°C时Td（开/关）值：30ns/90ns
  • 测试条件：400V，65A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-264-3，TO-264AA
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