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    APT50GN60BDQ3G
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
  • 技术参数：IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：APT50GN60BDQ3G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：107A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：150A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，50A
  • 功率-最大值：366W
  • 开关能量：1.185mJ（开），1.565mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：325nC
  • 25°C时Td（开/关）值：20ns/230ns
  • 测试条件：400V，50A，4.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：35ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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