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    APT38F80B2
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：T-MAX? [B2]
  • 技术参数：MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：APT38F80B2
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：POWER MOS 8?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：800V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：41A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：240 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：260nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8070pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1040W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：T-MAX? [B2]
  • APT38F80B2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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