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    APT35GP120B2D2G
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
  • 技术参数：IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：APT35GP120B2D2G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：POWER MOS 7?
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：96A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：140A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.9V @ 15V，35A
  • 功率-最大值：540W
  • 开关能量：1mJ（开），1.185mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：150nC
  • 25°C时Td（开/关）值：14ns，99ns
  • 测试条件：800V，35A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：85ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3 变式
  • APT35GP120B2D2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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