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    APT33GF120LRDQ2G
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-264-3，TO-264AA
  • 技术参数：IGBT 1200V 64A 357W TO264
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：APT33GF120LRDQ2G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：IGBT 1200V 64A 357W TO264
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：64A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：75A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，25A
  • 功率-最大值：357W
  • 开关能量：1.315mJ（开），1.515mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：170nC
  • 25°C时Td（开/关）值：14ns/185ns
  • 测试条件：800V，25A，4.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-264-3，TO-264AA
  • APT33GF120LRDQ2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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