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    APT25GP90BDQ1G
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
  • 技术参数：IGBT 900V 72A 417W TO247
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：APT25GP90BDQ1G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：IGBT 900V 72A 417W TO247
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：POWER MOS 7?
  • 零件状态：不適用於新設計
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：900V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：72A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：110A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.9V @ 15V，25A
  • 功率-最大值：417W
  • 开关能量：370μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：110nC
  • 25°C时Td（开/关）值：13ns/55ns
  • 测试条件：600V，40A，4.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
  • APT25GP90BDQ1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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