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    APT100GN60B2G
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
  • 技术参数：IGBT 600V 229A 625W TMAX
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：APT100GN60B2G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：IGBT 600V 229A 625W TMAX
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：229A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：300A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，100A
  • 功率-最大值：625W
  • 开关能量：4.7mJ（开），2.675mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：600nC
  • 25°C时Td（开/关）值：31ns/310ns
  • 测试条件：400V，100A，1 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3 变式
  • APT100GN60B2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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